Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника


Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

35. Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Поверхностное время жизни

Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности


Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. . 2015.

Смотреть что такое "Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника" в других словарях:

  • поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника — поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы поверхностное время жизни …   Справочник технического переводчика

  • поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда — поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда; поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме V полупроводника к общему их потоку через поверхность …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • поверхностное время жизни — неравновесных носителей заряда; поверхностное время жизни Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме V полупроводника к общему их потоку через поверхность …   Политехнический терминологический толковый словарь

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… …   Физическая энциклопедия